SI7138DP-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI7138DP-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI7138DP-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.8mOhm @ 19.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI7138 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI7138DP-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI7138DP-T1-E3 | SI7145DP-T1-GE3 | SI7136DP-T1-E3 | SI7135DP-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900 pF @ 30 V | 15660 pF @ 15 V | 3380 pF @ 10 V | 8650 pF @ 15 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 135 nC @ 10 V | 413 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 5W (Ta), 39W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | SI7138 | SI7145 | SI7136 | SI7135 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 60A (Tc) | 30A (Tc) | 60A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.8mOhm @ 19.7A, 10V | 2.6mOhm @ 25A, 10V | 3.2mOhm @ 20A, 10V | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
SI7138DP-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI7138DP-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI7145DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI7136DPElectro-Films (EFI) / VishaySI7135DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi7143DPElectro-Films (EFI) / VishaySi7139DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi7137DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7136DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8Si7145DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7135DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8SI7135CJSIXSi7143DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7137DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8SI7139DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7139DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8SI7141DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8SI7136DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8SI7136DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7143DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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