SI6993DQ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI6993DQ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI6993DQ-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31mOhm @ 4.7A, 10V | |
電力 - 最大 | 830mW | |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 4.5V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A | |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | SI6993 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI6993DQ-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI6993DQ-T1-GE3 | SI6993DQ-T1-E3 | SI6981DQ-T1-E3 | SI6969DQ-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.6A | 3.6A | 4.1A | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 31mOhm @ 4.7A, 10V | 31mOhm @ 4.7A, 10V | 31mOhm @ 4.8A, 4.5V | 34mOhm @ 4.6A, 4.5V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 25nC @ 4.5V | 40nC @ 4.5V |
基本製品番号 | SI6993 | SI6993 | SI6981 | SI6969 |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 30V | 20V | 12V |
電力 - 最大 | 830mW | 830mW | 830mW | 1.1W |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 900mV @ 300µA | 450mV @ 250µA (Min) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
SI6993DQ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI6993DQ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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