SI6928DQ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI6928DQ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI6928DQ-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1W | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI6928 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI6928DQ-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI6928DQ-T1-GE3 | SI6943BDQ-T1-GE3 | SI6928DQ-T1-E3 | SI6933DQ-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | - | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A | 2.3A | 4A | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 1W | 800mW | 1W | 1W |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4A, 10V | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 35mOhm @ 4A, 10V | 45mOhm @ 3.5A, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | SI6928 | SI6943 | SI6928 | SI6933 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 800mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 5V | 10nC @ 4.5V | 14nC @ 5V | 30nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 12V | 30V | 30V |
SI6928DQ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI6928DQ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI6933DQ-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI6943DQ-T1SILICONIXSI6926DQ-T1-GE3VBSEMISI6943BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOPSI6926EDQ-T1SILICONIXSI6943DQElectro-Films (EFI) / VishaySI6928DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOPSI6926AEDQ-T1-GE3VBSEMISI6928DQ-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI6933DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOPSI6933DQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
SI6926DQ-T1Silicon Power
SI6926DQFairchild (onsemi)SI6943BDQElectro-Films (EFI) / VishaySI6943BDQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOPSI6926DQ-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI6943BDQ-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI6926EDQ-T1-E3VBSEMI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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