SI5935DC-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI5935DC-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 86mOhm @ 3A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI5935 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI5935DC-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI5935DC-T1-E3 | SI5936DU-T1-GE3 | SI5935CDC-T1-GE3 | SI5947DU-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | 11nC @ 10V | 11nC @ 5V | 17nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 86mOhm @ 3A, 4.5V | 30mOhm @ 5A, 10V | 100mOhm @ 3.1A, 4.5V | 58mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFet Dual | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFet Dual |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力 - 最大 | 1.1W | 10.4W | 3.1W | 10.4W |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 30V | 20V | 20V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A | 6A | 4A | 6A |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 320pF @ 15V | 455pF @ 10V | 480pF @ 10V |
| 基本製品番号 | SI5935 | SI5936 | SI5935 | SI5947 |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Dual | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
SI5935DC-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI5935DC-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI5936DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFETSI5933DLXX
SI5933DC-T3Electro-Films (EFI) / VishaySI5935CDC-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8SI5947DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFETSI5933CDC-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAKSI5933CDC-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8SI5933DC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8SI5933DCElectro-Films (EFI) / VishaySI5975DC-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI5944DU-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAKSI5997DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFETSI5936DU-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI5935CDCSKSI5933DC-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI5975DC-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFETSI5948DU-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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