SI5913DC-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI5913DC-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI5913DC-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±12V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | |
シリーズ | LITTLE FOOT® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 84mOhm @ 3.7A, 10V | |
電力消費(最大) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 330 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) | |
基本製品番号 | SI5913 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI5913DC-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI5913DC-T1-GE3 | SI5913DC-T1-E3 | SI5920DC-T1 | SI5915DC-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay | Vishay Siliconix |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ | - | 1206-8 ChipFET™ |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 20 V | - | 8V |
電力消費(最大) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) | - | - |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | - | 8-SMD, Flat Lead |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V | - | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | - | 9nC @ 4.5V |
Vgs(最大) | ±12V | ±12V | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) | 4A (Tc) | - | 3.4A |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 330 pF @ 10 V | 330 pF @ 10 V | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
基本製品番号 | SI5913 | SI5913 | - | SI5915 |
シリーズ | LITTLE FOOT® | LITTLE FOOT® | - | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 84mOhm @ 3.7A, 10V | 84mOhm @ 3.7A, 10V | - | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | - | Logic Level Gate |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | - | 450mV @ 250µA (Min) |
SI5913DC-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI5913DC-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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