SI5515DC-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI5515DC-T1-E3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V | |
電力 - 最大 | 1.1W | |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.4A, 3A | |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
基本製品番号 | SI5515 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI5515DC-T1-E3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI5515DC-T1-E3 | SI5511DC-T1-E3 | SI5513DC-T1-E3 | SI5509DC-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
電力 - 最大 | 1.1W | 3.1W, 2.6W | 1.1W | 4.5W |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V | 75mOhm @ 3.1A, 4.5V | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
基本製品番号 | SI5515 | SI5511 | SI5513 | SI5509 |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V | 30V | 20V | 20V |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.4A, 3A | 4A, 3.6A | 3.1A, 2.1A | 6.1A, 4.8A |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2V @ 250µA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
サプライヤデバイスパッケージ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V | 7.1nC @ 5V | 6nC @ 4.5V | 6.6nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | 435pF @ 15V | - | 455pF @ 10V |
SI5515DC-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI5515DC-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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