SI4925BDY-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4925BDY-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4925BDY-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7.1A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.3A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI4925 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4925BDY-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4925BDY-T1-E3 | SI4925DDY-T1-GE3 | SI4923DY-T1-E3 | SI4923DY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 1350pF @ 15V | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 7.1A, 10V | 29mOhm @ 7.3A, 10V | 21mOhm @ 8.3A, 10V | 21mOhm @ 8.3A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 1.1W | 5W | 1.1W | 1.1W |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SI4925 | SI4925 | SI4923 | SI4923 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.3A | 8A | 6.2A | 6.2A |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC @ 10V | 50nC @ 10V | 70nC @ 10V | 70nC @ 10V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
SI4925BDY-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI4925BDY-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4924DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4923DYElectro-Films (EFI) / Vishay
SI4925DDY-T1-E3VBSEMISI4925BDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4925DDYElectro-Films (EFI) / VishaySi4925DDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4925BDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4925SISI4925BDY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI4925DDY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4922DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4925DDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOICSI4923DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOICSI4923DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOICSI4925DYSISI4925BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOICSI4925BDYVISSI4922DY-TE2Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。