SI4866BDY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4866BDY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4866BDY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.3mOhm @ 12A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5020 pF @ 6 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4866 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4866BDY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4866BDY-T1-GE3 | SI4874BDY-T1-E3 | SI4864DY-T1-E3 | SI4866DY-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.3mOhm @ 12A, 4.5V | 7mOhm @ 16A, 10V | 3.5mOhm @ 25A, 4.5V | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SI4866 | SI4874 | SI4864 | SI4866 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5020 pF @ 6 V | 3230 pF @ 15 V | - | - |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 30 V | 20 V | 12 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21.5A (Tc) | 12A (Ta) | 17A (Ta) | 11A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±8V | ±8V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 4.5 V | 70 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 4.5 V |
SI4866BDY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4866BDY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4866BDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4874BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI4872DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4872DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4862DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4864DY-T1-GE3VishaySI4864DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 17A 8SOSI4864DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4864DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4866SISI4866DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 11A 8SOSI4862DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 16V 17A 8SOSI4866DY-T1SISI4874BDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4866BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 21.5A 8SOSI4866DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4866DYSISI4874BDY-T-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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