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画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。

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SI4776DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Name: Vishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4776DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (3 reviews)

メーカー部品型番: SI4776DY-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix

Allelco 部品型番: 32D-SI4776DY-T1-GE3

ECADモデル

モデルの説明: MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

パッケージ: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

データシート: Si4776DY.pdf

RoHS ステータス

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認定

在庫あり: 4420

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規格

SI4776DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4776DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4776DY-T1-GE3仕様に似たパーツ

製品属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
同上@ VGS（TH）（最大）	2.3V @ 1mA
Vgs（最大）	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC
シリーズ	SkyFET®, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	16mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大）	4.1W (Tc)
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ	Tape & Reel (TR)

製品属性	属性値
運転温度	-55°C ~ 150°C (TA)
装着タイプ	Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	521 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	17.5 nC @ 10 V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.9A (Tc)
基本製品番号	SI4776

環境と輸出分類

属性	説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル（MSL）	1 (Unlimited)
州に到達します
ECCN	EAR99
HTSUS

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4776DY-T1-GE3と同様の仕様

製品属性
部品型番	SI4776DY-T1-GE3	SI4778DY-T1-GE3	SI4778DY-T1-E3	SI4774DY-T1-GE3
メーカー	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	16mOhm @ 10A, 10V	23mOhm @ 7A, 10V	23mOhm @ 7A, 10V	9.5mOhm @ 10A, 10V
パッケージ	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11.9A (Tc)	8A (Tc)	8A (Tc)	16A (Tc)
シリーズ	SkyFET®, TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	SkyFET®, TrenchFET®
Vgs（最大）	±20V	±16V	±16V	±20V
運転温度	-55°C ~ 150°C (TA)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TA)
同上@ VGS（TH）（最大）	2.3V @ 1mA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.3V @ 1mA
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET特長	-	-	-	Schottky Diode (Body)
基本製品番号	SI4776	SI4778	SI4778	SI4774
電力消費（最大）	4.1W (Tc)	2.4W (Ta), 5W (Tc)	2.4W (Ta), 5W (Tc)	5W (Tc)
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	521 pF @ 15 V	680 pF @ 13 V	680 pF @ 13 V	1025 pF @ 15 V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	30 V	25 V	25 V	30 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	17.5 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V	18 nC @ 10 V	14.3 nC @ 4.5 V
技術	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
装着タイプ	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
FETタイプ	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel

SI4776DY-T1-GE3データテーブルPDF

SI4776DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4776DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード

PCN陳腐化/ EOL: Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
データシート: Si4776DY.pdf

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納期

在庫のあるアイテムは24時間以内に出荷できます。一部の部品は、すべてのアイテムが当社の倉庫に到着した日から1〜2日以内に配達用に配置されます。また、Allelcoは日曜日を除く17:00頃に1日1回注文します。商品が出荷されると、推定配送時間は輸送方法と配送先に依存します。下の表は、一部の一般的な国のロジスティック時間です。

配送コスト

発送には、発送のためにエクスプレスアカウントを使用してください。
出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。

（異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。）

配信方法

DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SFによるグローバル共通出荷がサポートしています。
その他の配送方法は、顧客マネージャーと連絡を取り合ってください。

一般的な国のロジスティック時間参照
地域	国	ロジスティック時間（日）
アメリカ	アメリカ	5
アメリカ	ブラジル	7
ヨーロッパ	ドイツ	5
	イギリス	4
	イタリア	5
オセアニア	オーストラリア	6
オセアニア	ニュージーランド	5
アジア	インド	4
アジア	日本	4
中東	イスラエル	6

DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料（kg）	参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

注記：: 上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
ご質問がある場合はお問い合わせください。

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SI4776DY-T1-GE3

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