SI4688DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4688DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4688DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1580 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI4688 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4688DY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4688DY-T1-GE3 | SI4686DY-T1-E3 | SI4686DY-T1-GE3 | SI4688-A10-GM |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Skyworks Solutions Inc. |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1580 pF @ 15 V | 1220 pF @ 15 V | 1220 pF @ 15 V | - |
| 基本製品番号 | SI4688 | SI4686 | SI4686 | SI4688 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11mOhm @ 12A, 10V | 9.5mOhm @ 13.8A, 10V | 9.5mOhm @ 13.8A, 10V | - |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Ta) | 3W (Ta), 5.2W (Tc) | 3W (Ta), 5.2W (Tc) | - |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET®, WFET® | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 48-VFQFN Exposed Pad |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.9A (Ta) | 18.2A (Tc) | 18.2A (Tc) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 48-QFN (7x7) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
SI4688DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4688DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4686DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8SOSI4688-A10-GMSkyworks Solutions Inc.RF RCVR FM 76MHZ-108MHZ 48QFN
SI4689-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 48QFN
SI4700-A09-GMRSilicon PowerSI4700-A15-GMRSilicon PowerSI4700-A07-GMRSilicon Power
SI4686DY-T1-E3..Electro-Films (EFI) / VishaySI4700-A15Silicon PowerSI4686DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4700-B15-GMRSilicon PowerSi4686DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
SI4700-A09SISI4700-GMRSilicon PowerSI4686DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8SOSI4685-A10-GMRSkyworks Solutions Inc.RF RX AM/FM 520KHZ-1.71MHZ 48QFNSI4686DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4686DY-TI-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4692-A10-AMSkyworks Solutions Inc.HIGH-PERFORMANCE DIGITAL RADIO B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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