SI4654DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4654DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4654DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.9W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3770 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4654 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4654DY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4654DY-T1-GE3 | SI4666DY-T1-GE3 | SI4660DY-T1-E3 | SI4646DY-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3770 pF @ 15 V | 1145 pF @ 10 V | 2410 pF @ 15 V | 1790 pF @ 15 V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | SkyFET®, TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.9W (Tc) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| 基本製品番号 | SI4654 | SI4666 | SI4660 | SI4646 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 25 V | 25 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28.6A (Tc) | 16.5A (Tc) | 23.1A (Tc) | 12A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 15A, 10V | 10mOhm @ 10A, 10V | 5.8mOhm @ 15A, 10V | 11.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs（最大） | ±16V | ±12V | ±16V | ±20V |
SI4654DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4654DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4666DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
SI4662DY-T1-GE3VBSEMI
SI4670DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4652DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4654Electro-Films (EFI) / VishaySI4646DY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4660DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 23.1A 8SOSI4646DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI4654DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 28.6A 8SOSI466AElectro-Films (EFI) / VishaySi4666DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4646DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI4668DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 16.2A 8SOSI4654DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4670Electro-Films (EFI) / VishaySI4654DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4660DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 23.1A 8SOSI4642DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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