SI4564DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4564DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4564DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17.5mOhm @ 8A, 10V | |
電力 - 最大 | 3.1W, 3.2W | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 855pF @ 20V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A, 9.2A | |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
基本製品番号 | SI4564 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4564DY-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI4564DY-T1-GE3 | SI4567DY-T1-E3 | SI4562DY-T1-GE3 | SI4562DY-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V | 12nC @ 10V | 50nC @ 4.5V | 50nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A, 9.2A | 5A, 4.4A | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | 40V | 20V | 20V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17.5mOhm @ 8A, 10V | 60mOhm @ 4.1A, 10V | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 1.6V @ 250µA | 1.6V @ 250µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 855pF @ 20V | 355pF @ 20V | - | - |
基本製品番号 | SI4564 | SI4567 | SI4562 | SI4562 |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電力 - 最大 | 3.1W, 3.2W | 2.75W, 2.95W | 2W | 2W |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SI4564DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4564DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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