SI4532CDY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4532CDY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4532CDY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 47mOhm @ 3.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.78W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 305pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A, 4.3A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | SI4532 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4532CDY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4532CDY-T1-GE3 | SI4532ADY-T1-E3 | SI4532DY | SI4532DY |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 305pF @ 15V | - | 235pF @ 10V | 235pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 2.78W | 1.13W, 1.2W | 900mW | 900mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9nC @ 10V | 16nC @ 10V | 15nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A, 4.3A | 3.7A, 3A | 3.9A, 3.5A | 3.9A, 3.5A |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 47mOhm @ 3.5A, 10V | 53mOhm @ 4.9A, 10V | 65mOhm @ 3.9A, 10V | 65mOhm @ 3.9A, 10V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 基本製品番号 | SI4532 | SI4532 | SI4532 | SI4532 |
SI4532CDY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4532CDY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4532ADY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOICSi4532CDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi4532CDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4532DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi4532DY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4532DY-NL.Fairchild (onsemi)
SI4532AEY-T1-E3VBSEMISI4532DYonsemiMOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOICSI4532ASISi4532CDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4532SISI4532DYFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3SI4532ADYElectro-Films (EFI) / VishaySI4532ADY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4532DY-T1SILICONIXSI4532DY-NLVBSEMISI4532DY MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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