SI4214DDY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4214DDY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19.5mOhm @ 8A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 3.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI4214 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4214DDY-T1-GE3 | SI4226DY-T1-E3 | SI4214DY-T1-GE3 | SI4214DDY-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 10V | 36nC @ 10V | 23nC @ 10V | 22nC @ 10V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 電力 - 最大 | 3.1W | 3.2W | 3.1W | 3.1W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.5A | 8A | 8.5A | 8.5A |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 660pF @ 15V | 1255pF @ 15V | 785pF @ 15V | 660pF @ 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 25V | 30V | 30V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19.5mOhm @ 8A, 10V | 19.5mOhm @ 7A, 4.5V | 23.5mOhm @ 7A, 10V | 19.5mOhm @ 8A, 10V |
| 基本製品番号 | SI4214 | SI4226 | SI4214 | SI4214 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | - | Logic Level Gate |
SI4214DDY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4214DDY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4221-GMSilicon PowerSI4226DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI4220-GMST-ERICSSSI4214DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOICSI4210GM 0630DC KAAT
SI4214DDY-TIElectro-Films (EFI) / VishaySI4214DDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4210DYElectro-Films (EFI) / VishaySi4210GMSilicon PowerSI4214DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOSi4210DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4226DYSISI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOICSI4210-GMST-ERICSSSi4214DDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4226DY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4214DDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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