SI4190DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4190DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4190DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.8mOhm @ 15A, 10V | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4190 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4190DY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4190DY-T1-GE3 | SI4190ADY-T1-GE3 | SI4196DY-T1-GE3 | SI4186DY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.8mOhm @ 15A, 10V | 8.8mOhm @ 15A, 10V | 27mOhm @ 8A, 4.5V | 2.6mOhm @ 15A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 18.4A (Tc) | 8A (Tc) | 35.8A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | SI4190 | SI4190 | SI4196 | SI4186 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 22 nC @ 8 V | 90 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | 2.8V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 50 V | 1970 pF @ 50 V | 830 pF @ 10 V | 3630 pF @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 20 V | 20 V |
SI4190DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4190DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4178DDY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOICSI4190ADY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 18.4A 8SOSI4196DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 8A 8SOSI4186DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
Si4200DB-BMRSilicon PowerSI4200DB-BMSilicon Power
SI418DYSISI4200-BMRSilicon PowerSI4200BMSILSI4186DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
SI4200-BMSilicon LabsIC RF TXRX CELLULAR 32VFQFNSI4178DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI4178DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOSI4188DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4178DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4200-GMSilicon LabsIC RF TXRX CELLULAR 32VFQFNSI4176DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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