SI4048DY-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4048DY-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4048DY-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2060 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI4048 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4048DY-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4048DY-T1-GE3 | SI4062DY-T1-GE3 | SI4056DY-T1-GE3 | SI4058DY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | 7.8W (Tc) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) | 5.6W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2060 pF @ 15 V | 3175 pF @ 30 V | 900 pF @ 50 V | 690 pF @ 50 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2.6V @ 250µA | 2.8V @ 250µA | 2.8V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 100 V | 100 V |
| 基本製品番号 | SI4048 | SI4062 | SI4056 | SI4058 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 29.5 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19.3A (Tc) | 32.1A (Tc) | 11.1A (Tc) | 10.3A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 15A, 10V | 4.2mOhm @ 20A, 10V | 23mOhm @ 15A, 10V | 26mOhm @ 10A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SI4048DY-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI4048DY-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4063-C2A-GMSilicon LabsRF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFNSI4032-B1-FMSilicon LabsRF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFNSI4062DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 32.1A 8SOSI4030-B1-FMSilicon LabsRF TX IC FSK 900-960MHZ 20VFQFNSI4032-V2-FMRSilicon LabsRF TX ISM FSK 240-930MHZ 20VFQFN
Si4056DY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4056DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOSI4056DYElectro-Films (EFI) / VishaySi4056DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4048DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4060-B1B-FMRSilicon LabsRF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFNSI4032-V2-FMSilicon LabsRF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFNSI4031-B1-FMRSilicon LabsRF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFNSI4060-C2A-GMRSilicon LabsRF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFNSI4031-B1-FMSilicon LabsRF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFNSI4048DYElectro-Films (EFI) / VishaySI4031-A0-FMSilicon LabsRF TX IC FSK 240-930MHZ 20VFQFNSI4058DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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