SI3590DV-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI3590DV-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI3590DV-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 77mOhm @ 3A, 4.5V | |
電力 - 最大 | 830mW | |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5nC @ 4.5V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A, 1.7A | |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
基本製品番号 | SI3590 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI3590DV-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI3590DV-T1-GE3 | SI3588DV-T1-GE3 | SI3586DV-T1-GE3 | SI3850ADV-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
基本製品番号 | SI3590 | SI3588 | SI3586 | SI3850 |
電力 - 最大 | 830mW | 830mW, 83mW | 830mW | 1.08W |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A, 1.7A | 2.5A, 570mA | 2.9A, 2.1A | 1.4A, 960mA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 77mOhm @ 3A, 4.5V | 80mOhm @ 3A, 4.5V | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V | 300mOhm @ 500mA, 4.5V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 1.1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel, Common Drain |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5nC @ 4.5V | 7.5nC @ 4.5V | 6nC @ 4.5V | 1.4nC @ 4.5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 20V | 20V | 20V |
SI3590DV-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI3590DV-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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