SI3552DV-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI3552DV-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI3552DV-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.15W | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | SI3552 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI3552DV-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI3552DV-T1-GE3 | SI3585DV-T1-E3 | SI3552DV-T1-E3 | SI3585CDV-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V | 3.2nC @ 4.5V | 3.2nC @ 5V | 4.8nC @ 10V |
| 基本製品番号 | SI3552 | SI3585 | SI3552 | SI3585 |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 20V | 30V | 20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | 150pF @ 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | 2A, 1.5A | 2.5A | 3.9A, 2.1A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 600mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 1.5V @ 250µA |
| 電力 - 最大 | 1.15W | 830mW | 1.15W | 1.4W, 1.3W |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 2.5A, 10V | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V | 105mOhm @ 2.5A, 10V | 58mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SI3552DV-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI3552DV-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI3585DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
SI3522VSanken Electric Co., Ltd.
SI3585CDVVishaySI3552DV-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3552DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 6TSOPSI3529DV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3552DVElectro-Films (EFI) / VishaySI3585DV-T1Electro-Films (EFI) / Vishay
SI3500-A-GMRSkyworks Solutions Inc.IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFN
SI3585DVMSVSI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOPSI3585DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOPSI3552DV-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI3586DS-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi3552DV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3500-A-GMSkyworks Solutions Inc.IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFNSI3529DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOPSI3586-DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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