SI3458DV-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI3458DV-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI3458DV-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 3.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI3458 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI3458DV-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI3458DV-T1-E3 | SI3458BDV-T1-GE3 | SI3459BDV-T1-GE3 | SI3458BDV-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 3.2A, 10V | 100mOhm @ 3.2A, 10V | 216mOhm @ 2.2A, 10V | 100mOhm @ 3.2A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | SI3458 | SI3458 | SI3459 | SI3458 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.2A (Ta) | 4.1A (Tc) | 2.9A (Tc) | 4.1A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
SI3458DV-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI3458DV-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI3458-C04-IMRSilicon Power
SI3459BDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI3458BDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOPSi3459BDV-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3458-B03-IM SILCONElectro-Films (EFI) / VishaySI3458-B02-IMSilicon PowerSI3459BDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOPSI3458DV-T1-E3CT-NDElectro-Films (EFI) / VishaySI3458BDV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOPSI3458-B03-IMRSilicon PowerSI3458-B03-IMSilicon PowerSI3459BDV-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI3458DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI3457DV-TIElectro-Films (EFI) / VishaySI3459BDV-T1-G3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI3459-B02-IMRSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 8 CHANNEL 56QFNSI3459BDV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOPSI3458DV-T1Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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