SI3454ADV-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI3454ADV-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI3454ADV-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.14W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI3454 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI3454ADV-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI3454ADV-T1-E3 | SI3455ADV-T1-GE3 | SI3454DV | SI3453DV-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | PowerTrench® | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A (Ta) | 2.7A (Ta) | 4.2A (Ta) | 3.4A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 1.14W (Ta) | 1.14W (Ta) | 800mW (Ta) | 3W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 4.5A, 10V | 100mOhm @ 3.5A, 10V | 65mOhm @ 4.2A, 10V | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | 6-TSOP | SuperSOT™-6 | 6-TSOP |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 6.8 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | SI3454 | SI3455 | - | SI3453 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SI3454ADV-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI3454ADV-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI3455ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOPSI3454DVFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
SI3454DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI3452C-B02-GMSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 4 CHANNEL 40QFNSI3452A-B01-IMSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 4 CHANNEL 40QFNSI3453DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOPSI3454DV-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI3454DV-NLFairchild (onsemi)SI3452D-B02-GMSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 4 CHANNEL 40QFNSI3452DV-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI3454CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOPSI3454ADV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOPSI3452A-B01-GMSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 4 CHANNEL 40QFN
SI3454DV-T1SILCONIXSI3452B-B02-GMRSkyworks Solutions Inc.IC POE CNTRL 4 CHANNEL 40QFNSI3454ADV-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI3455ADV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOPSI3453DV-T5-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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