SI2341DS-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI2341DS-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI2341DS-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72mOhm @ 2.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 710mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI2341 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI2341DS-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI2341DS-T1-E3 | SI2337DS-T1-GE3 | SI2343CDS-T1-GE3 | SI2338DS-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 80 V | 30 V | 30 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | SI2341 | SI2337 | SI2343 | SI2338 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | 2.2A (Tc) | 5.9A (Tc) | 6A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 710mW (Ta) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 72mOhm @ 2.8A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 45mOhm @ 4.2A, 10V | 28mOhm @ 5.5A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 15 V | 500 pF @ 40 V | 590 pF @ 15 V | 424 pF @ 15 V |
SI2341DS-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI2341DS-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
Si2343DDS-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI2338DS-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI2342DSSRSi2342DS-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySi2337DS-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI2337DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3SI2343CDSVishaySi2342DS-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySi2338DS-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI2343CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3SI2338DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6A SOT23SI2341DS-T1SI2343DSVishaySI2341DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3SI2338DS/RCR1557SJElectro-Films (EFI) / VishaySI2338DSVishaySI2341DSElectro-Films (EFI) / VishaySI2342DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 6A SOT-23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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