SI2321DS-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI2321DS-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI2321DS-T1-E3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 57mOhm @ 3.3A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 710mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 715 pF @ 6 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta) | |
基本製品番号 | SI2321 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI2321DS-T1-E3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI2321DS-T1-E3 | SI2323CDS-T1-GE3 | SI2319DS-T1-GE3 | SI2319DS-T1-E3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
Vgs(最大) | ±8V | ±8V | ±20V | ±20V |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電力消費(最大) | 710mW (Ta) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | 750mW (Ta) | 750mW (Ta) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 10V | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 20 V | 40 V | 40 V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 715 pF @ 6 V | 1090 pF @ 10 V | 470 pF @ 20 V | 470 pF @ 20 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
FET特長 | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | 25 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta) | 6A (Tc) | 2.3A (Ta) | 2.3A (Ta) |
基本製品番号 | SI2321 | SI2323 | SI2319 | SI2319 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 57mOhm @ 3.3A, 4.5V | 39mOhm @ 4.6A, 4.5V | 82mOhm @ 3A, 10V | 82mOhm @ 3A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SI2321DS-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI2321DS-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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