SI1965DH-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1965DH-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1965DH-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 390mOhm @ 1A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 1.25W | |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 120pF @ 6V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 8V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI1965 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1965DH-T1-GE3 | SI1967DH-T1-GE3 | SI1967DH-T1-BE3 | SI1922EDH-T1-BE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12V | 20V | 20V | 20V |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 電力 - 最大 | 1.25W | 1.25W | 740mW (Ta), 1.25W (Tc) | 740mW (Ta), 1.25W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 120pF @ 6V | 110pF @ 10V | 110pF @ 10V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A | 1.3A | 1A (Ta), 1.3A (Tc) | 1.3A (Ta), 1.3A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 390mOhm @ 1A, 4.5V | 490mOhm @ 910mA, 4.5V | 490mOhm @ 910mA, 4.5V | 198mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 |
| 基本製品番号 | SI1965 | SI1967 | SI1967 | SI1922 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 8V | 4nC @ 8V | 4nC @ 10V | 2.5nC @ 8V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
SI1965DH-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI1965DH-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1967DH-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6SI1967DH-T1-BE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
SI1969DH-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI19489ACTUCSI1922EDH-T1-GEElectro-Films (EFI) / VishaySI1922EDH-T1-BE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363SI1922EDH-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363SI1972DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6SI1988DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6SI1926DL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
SI19287BCNUSilicon PowerSI1926DL-T1-BE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363SI19993CTG100Silicon PowerSI1958DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6SI1926DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6SI1972DH-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6SI1967DH-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6SI1972DH-T1-GEElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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