SI1900DL-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1900DL-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1900DL-T1-E3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 480mOhm @ 590mA, 10V | |
電力 - 最大 | 270mW | |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.4nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 590mA | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | SI1900 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1900DL-T1-E3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI1900DL-T1-E3 | SI1900DL-T1-GE3 | SI1902DL-T1-E3 | SI1902CDL-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 30V | 20V | 20V |
基本製品番号 | SI1900 | SI1900 | SI1902 | SI1902 |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
電力 - 最大 | 270mW | 300mW, 270mW | 270mW | 420mW |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - | - | - | 62pF @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 | SC-70-6 |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 480mOhm @ 590mA, 10V | 480mOhm @ 590mA, 10V | 385mOhm @ 660mA, 4.5V | 235mOhm @ 1A, 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.4nC @ 10V | 1.4nC @ 10V | 1.2nC @ 4.5V | 3nC @ 10V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 590mA | 630mA (Ta), 590mA (Ta) | 660mA | 1.1A |
SI1900DL-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI1900DL-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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