SI1300BDL-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1300BDL-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1300BDL-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 850mOhm @ 250mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 190mW (Ta), 200mW (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 35 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.84 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | SI1300 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1300BDL-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1300BDL-T1-E3 | SI1302DL-T1-GE3 | SI1300BDL-T1-GE3 | SI1302DL-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±8V | ±20V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 190mW (Ta), 200mW (Tc) | 280mW (Ta) | 190mW (Ta), 200mW (Tc) | 280mW (Ta) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) | 600mA (Ta) | 400mA (Tc) | 600mA (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 35 pF @ 10 V | - | 35 pF @ 10 V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | SI1300 | SI1302 | SI1300 | SI1302 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 850mOhm @ 250mA, 4.5V | 480mOhm @ 600mA, 10V | 850mOhm @ 250mA, 4.5V | 480mOhm @ 600mA, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.84 nC @ 4.5 V | 1.4 nC @ 10 V | 0.84 nC @ 4.5 V | 1.4 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-3 | SC-70-3 |
SI1300BDL-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI1300BDL-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1301DL-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI1153-AA00-GMRSilicon LabsSENSOR OPT 525NM AMBIENT 10DFNSI1153-AB00-GMSilicon LabsSENSOR OPT 940NM AMBIENT 10DFNSI1300DL-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI1301DL-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI1234DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI1302DLVishay
SI1153-AB9X-GMRSilicon LabsSENSOR OPT 940NM AMBIENT 10LGASI1153-AA09-GMRSilicon LabsSENSOR OPT 525NM AMBIENT 10DFNSI1302DL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3SI1153-AB00-GMRSilicon LabsSENSOR OPT 940NM AMBIENT 10DFN
SI1153-AA9X-GMSilicon LabsSENSOR OPT 525NM AMBIENT 10LGASI13-0DBESTASI1302DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
SI1153-AB9X-GMSilicon LabsSENSOR OPT 940NM AMBIENT 10LGASI1300DL-T1SILICONIXSI1300DL-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。