SI1062X-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1062X-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1062X-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89-3 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 420mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 220mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-89, SOT-490 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 43 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.7 nC @ 8 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 530mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI1062 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1062X-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1062X-T1-GE3 | SI1077X-T1-GE3 | SI1072X-T1-GE3 | SI1058X-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | SI1062 | SI1077 | SI1072 | SI1058 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 530mA (Ta) | 1.75A (Ta) | 1.3A (Ta) | 1.3A (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89-3 | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) |
| パッケージ/ケース | SC-89, SOT-490 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.55V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.7 nC @ 8 V | 31.1 nC @ 8 V | 8.3 nC @ 10 V | 5.9 nC @ 5 V |
| 電力消費（最大） | 220mW (Ta) | 330mW (Ta) | 236mW (Ta) | 236mW (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±20V | ±12V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 43 pF @ 10 V | 965 pF @ 10 V | 280 pF @ 15 V | 380 pF @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 420mOhm @ 500mA, 4.5V | 78mOhm @ 1.8A, 4.5V | 93mOhm @ 1.3A, 10V | 91mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SI1062X-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI1062X-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1080-A-GMRSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFNSI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V SC89-6SI1072X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V SC89-6SI1060-A-GMSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFNSI1058X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SC89-6SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6SI1056X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6SI1060-A-GMRSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFNSI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6SI1056X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SC89-6SI1080-A-GMSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFNSI1078X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563FSI1050X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
SI1046R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V SC75ASI1081-A-GMSilicon LabsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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