IRLR120PBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRLR120PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRLR120PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 4.6A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 490 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.7A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRLR120 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRLR120PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLR120PBF | IRLR120TR | IRLR210ATF | IRLR120NPBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi | International Rectifier |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 5V | 4V, 5V | 5V | 4V, 10V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 基本製品番号 | IRLR120 | IRLR120 | IRLR21 | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.7A (Tc) | 7.7A (Tc) | 2.7A (Tc) | 10A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 9 nC @ 5 V | 20 nC @ 5 V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 2.5W (Ta), 21W (Tc) | 48W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 4.6A, 5V | 270mOhm @ 4.6A, 5V | 1.5Ohm @ 1.35A, 5V | 185mOhm @ 6A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 490 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V | 240 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak | D-Pak | TO-252AA | D-Pak |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 200 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±10V | ±10V | ±20V | ±16V |
| シリーズ | - | - | - | HEXFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
IRLR120PBF - Vishay SiliconixのIRLR120PBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRLR120TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAKIRLR120NIR
IRLR120ATRPBFFairchild (onsemi)IRLR1705TRIRIRLR210ATFonsemiMOSFET N-CH 200V 2.7A DPAKIRLR120N MOSIRIRLR120NPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRLR220AFairchild (onsemi)IRLR120NTRPBF.IR
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A DPAKIRLR130ATMonsemiMOSFET N-CH 100V 13A DPAKIRLR120NTRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A DPAKIRLR220ATMVBSEMIIRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A DPAKIRLR120N LR120NIRIRLR120TRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.7A DPAKIRLR130A MOSFairchild (onsemi)IRLR130ATMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 13A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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