IRFZ40の技術仕様
Vishay Siliconix - IRFZ40技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFZ40仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 31A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFZ40 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFZ40と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFZ40 | IRFZ34NSTRRPBF | IRFZ44ES | IRFZ40PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 1360 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 55 V | 60 V | 60 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | D2PAK | TO-220AB |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 31A, 10V | 40mOhm @ 16A, 10V | 23mOhm @ 29A, 10V | 28mOhm @ 31A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IRFZ40 | - | - | IRFZ40 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | 34 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | 110W (Tc) | 150W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 29A (Tc) | 48A (Tc) | 50A (Tc) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
IRFZ40 - Vishay SiliconixのIRFZ40 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFZ34NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 29A D2PAKIRFZ44ESInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A D2PAKIRFZ44IRIRFZ40PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
IRFZ44ESPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFZ34NSTRLPBF MOSIRIRFZ34STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A D2PAKIRFZ34STRRPBFIRIRFZ44EInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A TO220ABIRFZ34VSPBFIRIRFZ44ASECIRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
IRFZ42STMicroelectronicsIRFZ34SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A D2PAKIRFZ34PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A TO220ABIRFZ44 MOSIRIRFZ34NSTRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 29A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。