IRFZ24STRLの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFZ24STRL技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFZ24STRL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 640 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFZ24 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFZ24STRLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFZ24STRL | IRFZ24STRR | IRFZ24SPBF | IRFZ30 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 10A, 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 50mOhm @ 16A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 50 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 640 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 17A (Tc) | 17A (Tc) | 30A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 74W (Tc) |
| 基本製品番号 | IRFZ24 | IRFZ24 | IRFZ24 | IRFZ30 |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-263 (D²Pak) | TO-220AB |
IRFZ24STRL - Vishay SiliconixのIRFZ24STRL PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFZ24NS FZ24NSIRIRFZ24STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRFZ24VPBF MOSIRIRFZ24NSPBFIRIRFZ24VPBFIRIRFZ24SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A TO263
IRFZ30PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFZ24NS MOSIRIRFZ30Vishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 30A TO220ABIRFZ24SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRFZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 17A D2PAKIRFZ24STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRFZ24NSTRPBFIRIRFZ30PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 30A TO220ABIRFZ24S MOSIRIRFZ24VSPBF MOSIRIRFZ24VSPBFIRIRFZ24NSTRLPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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