IRFZ10PBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFZ10PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFZ10PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 43W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFZ10 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFZ10PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFZ10PBF | IRFZ14S | IRFZ24 | IRFZ14PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 11 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 6A, 10V | 200mOhm @ 6A, 10V | 100mOhm @ 10A, 10V | 200mOhm @ 6A, 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 640 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | IRFZ10 | IRFZ14 | IRFZ24 | IRFZ14 |
| 電力消費（最大） | 43W (Tc) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) | 60W (Tc) | 43W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-220AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 17A (Tc) | 10A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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IRFY440IRIRFZ14SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A D2PAKIRFZ24Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A TO220ABIRFZ14PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220ABIRFZ10Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IRFZ14PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFY9130IRIRFY440CMIRIRFY9240CMIRIRFZ20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 15A TO220ABIRFY340IRIRFY9140IRIRFY9130CIRIRFZ14SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A D2PAKIRFZ20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 15A TO220ABIRFY9130CMIRFZ14Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IRFZ22STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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