IRFU9024の技術仕様
Vishay Siliconix - IRFU9024技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFU9024仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 5.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFU9 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFU9024と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFU9024 | IRFU9120NPBF | IRFU9110 | IRFU9110PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA | TO-251AA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 570 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IRFU9 | - | IRFU9 | IRFU9110 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 40W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Tc) | 6.6A (Tc) | 3.1A (Tc) | 3.1A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 5.3A, 10V | 480mOhm @ 3.9A, 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IRFU9024 - Vishay SiliconixのIRFU9024 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.6A IPAKIRFU7N60C3PBFIRIRFU9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AAIRFU9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AAIRFU9014Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AAIRFU9022PBFIRIRFU7440IRIRFU9024NInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 11A IPAKIRFU9120NInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 6.6A IPAKIRFU9020PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AAIRFU9110Harris Corporation3.1A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
IRFU9014 MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFU9020PBF MOSIRIRFU9020 MOSIRIRFU7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 90A IPAKIRFU9120Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AAIRFU9020Vishay SiliconixMOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AAIRFU9024NPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 11A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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