IRFU1N60APBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFU1N60APBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFU1N60APBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7Ohm @ 840mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 229 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFU1 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFU1N60APBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFU1N60APBF | IRFU1N60A | IRFU18N15D | IRFU15N20DPBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7Ohm @ 840mA, 10V | 7Ohm @ 840mA, 10V | 125mOhm @ 11A, 10V | 165mOhm @ 10A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-251AA | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | IPAK (TO-251AA) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.4A (Tc) | 1.4A (Tc) | 18A (Tc) | 17A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 229 pF @ 25 V | 229 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| 基本製品番号 | IRFU1 | IRFU1 | - | - |
| 電力消費（最大） | 36W (Tc) | 36W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 150 V | 200 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V |
IRFU1N60APBF - Vishay SiliconixのIRFU1N60APBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFU1N60APBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFU210PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFU13N15DPBFIRIRFU1N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AAIRFU15N20DIRIRFU18N15DPBFVBSEMIIRFU18N15DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 18A IPAKIRFU15N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 17A IPAKIRFU13N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 13A IPAKIRFU13N20DIRIRFU210PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AAIRFU1N60A MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFU214Vishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AAIRFU210Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AAIRFU12N25DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 14A IPAKIRFU210 MOSIRIRFU214 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
IRFU210BFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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