IRFP350PBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFP350PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFP350PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 9.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP350 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFP350PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP350PBF | IRFP3703 | IRFP350 | IRFP3703PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 300mOhm @ 9.6A, 10V | 2.8mOhm @ 76A, 10V | 300mOhm @ 9.6A, 10V | 2.8mOhm @ 76A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | IRFP350 | - | IRFP350 | IRFP3703 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) | 190W (Tc) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Tc) | 210A (Tc) | 16A (Tc) | 210A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 25 V | 8250 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 8250 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Bag | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 7V, 10V | 10V | 7V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | 209 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 209 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 30 V | 400 V | 30 V |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
IRFP350PBF - Vishay SiliconixのIRFP350PBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFP360LCPBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay
IRFP350NIRIRFP3703Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 210A TO247ACIRFP350Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 16A TO247-3IRFP3703PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
IRFP350AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFP360Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 23A TO247-3IRFP350PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFP341Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRFP360LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 23A TO247-3IRFP344PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3IRFP360NPBFHARRISIRFP350LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 16A TO247-3IRFP3415IRIRFP344Vishay SiliconixMOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3IRFP360PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 23A TO247-3IRFP360PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFP3415PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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