IRFP31N50LPBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFP31N50LPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFP31N50LPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 19A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP31 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFP31N50LPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP31N50LPBF | IRFP2907ZPBF | IRFP32N50K | IRFP3206PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | 310W (Tc) | 460W (Tc) | 280W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 75 V | 500 V | 60 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 19A, 10V | 4.5mOhm @ 90A, 10V | 160mOhm @ 32A, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | 7500 pF @ 25 V | 5280 pF @ 25 V | 6540 pF @ 50 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRFP31 | IRFP2907 | IRFP32 | IRFP3206 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) | 90A (Tc) | 32A (Tc) | 120A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
IRFP31N50LPBF - Vishay SiliconixのIRFP31N50LPBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFP3006IRIRFP3170PBFIRIRFP2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 90A TO247ACIRFP32N50KVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 32A TO247-3IRFP330RBFIRIRFP3206PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO247ACIRFP3206IRIRFP31N05LIRIRFP32N50KPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 32A TO247-3
IRFP3206PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP3077PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO247ACIRFP3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO247ACIRFP2907ZIRIRFP31N50LSIRIRFP31N50LVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 31A TO247-3IRFP3306IRIRFP3077IRIRFP3306PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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