IRFP150PBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFP150PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFP150PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 41A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP150 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFP150PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP150PBF | IRFP150 | IRFP21N60L | IRFP150MPBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| シリーズ | - | - | - | HEXFET® |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | IRFP150 | - | IRFP21 | IRFP150 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 25A, 10V | 55mOhm @ 25A, 10V | 320mOhm @ 13A, 10V | 36mOhm @ 23A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 41A (Tc) | 41A (Tc) | 21A (Tc) | 42A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 600 V | 100 V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 330W (Tc) | 160W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2800 pF @ 25 V | 2800 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
IRFP150PBF - Vishay SiliconixのIRFP150PBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFP150MIRIRFP150Harris CorporationMOSFET N-CH 100V 41A TO247-3IRFP21N60LVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO247-3IRFP150MPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A TO247ACIRFP150NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A TO247ACIRFP150VIR
IRFP150P221PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP15N60LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 15A TO247-3IRFP15N60LIRIRFP17N50LVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
IRFP150AonsemiMOSFET N-CH 100V 43A TO3PNIRFP17N50LSIR
IRFP17N50LPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFP150N MOSIRIRFP150NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IRFP150AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 43A TO3PNIRFP21N60LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO247-3IRFP17N50LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 16A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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