IRFI9620Gの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFI9620G技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFI9620G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFI9620 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFI9620Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFI9620G | IRFI9530G | IRFI9610G | IRFI9634G |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.8A, 10V | 300mOhm @ 4.6A, 10V | 3Ohm @ 1.2A, 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Tc) | 7.7A (Tc) | 2A (Tc) | 4.1A (Tc) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 15 V | 860 pF @ 25 V | 180 pF @ 25 V | 680 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IRFI9620 | IRFI9530 | IRFI9610 | IRFI9634 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 42W (Tc) | 27W (Tc) | 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 100 V | 200 V | 250 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
IRFI9620G - Vishay SiliconixのIRFI9620G PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFI9530GVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3IRFI9610GVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 2A TO220-3IRFI9634GVishay SiliconixMOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRFI9634GPBF MOSIRIRFI9534GIRIRFI9630GVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3IRFI9634GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRFI9620PBFElectro-Films (EFI) / VishayIRFI9630GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3IRFI9620GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3A TO220-3IRFI9620IRIRFI9540NIRIRFI9530GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3IRFI9610GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 2A TO220-3IRFI9640GVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3IRFI9540GPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 11A TO220-3IRFI9630G MOSIRIRFI9540GVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 11A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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