IRFI830Gの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFI830G技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFI830G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFI830 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFI830Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFI830G | IRFI840BTU | IRFI840G | IRFI840GPBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | 3.13W (Ta), 134W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | IRFI830 | - | IRFI840 | IRFI840 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.9A, 10V | 800mOhm @ 4A, 10V | 850mOhm @ 2.8A, 10V | 850mOhm @ 2.8A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A (Tc) | 8A (Tc) | 4.6A (Tc) | 4.6A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | I2PAK (TO-262) | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
IRFI830G - Vishay SiliconixのIRFI830G PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFI840BTUFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFI840GVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3IRFI840ATUFairchild (onsemi)IRFI840BFairchild (onsemi)
IRFI7536GIRIRFI840APBFIR
IRFI7446GPBFInfineonIRFI840GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3IRFI744GVishay SiliconixMOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3IRFI830GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3IRFI820GPBF MOSIRIRFI744IRIRFI820GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3IRFI840GLCVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3IRFI840GLCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3IRFI7536GPBFInternational RectifierIRFI7536 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFI820GVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3IRFI820BTUFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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