IRFB9N30Aの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFB9N30A技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFB9N30A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 5.6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFB9 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFB9N30Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFB9N30A | IRFBA1405PPBF | IRFBA1404PPBF | IRFB9N65A |
| メーカー | Vishay Siliconix | International Rectifier | International Rectifier | Vishay Siliconix |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | SUPER-220™ (TO-273AA) | SUPER-220™ (TO-273AA) | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-273AA | TO-273AA | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 55 V | 40 V | 650 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRFB9 | - | - | IRFB9N65 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A (Tc) | 174A (Tc) | 206A (Tc) | 8.5A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 33 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) | 330W (Tc) | 300W (Tc) | 167W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920 pF @ 25 V | 5480 pF @ 25 V | 7360 pF @ 25 V | 1417 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450mOhm @ 5.6A, 10V | 5mOhm @ 101A, 10V | 3.7mOhm @ 95A, 10V | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
IRFB9N30A - Vishay SiliconixのIRFB9N30A PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRFBA1405PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220IRFBA1404PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220IRFB7740IRIRFB9N65AVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220ABIRFBA90N20DIR
IRFB812PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 500V 3.6A TO220ABIRFB830 800/RIRFB9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFB7746PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 59A TO220ABIRFB7787PBFInternational RectifierIRFB7787 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB7740PBF MOSIRIRFB812IRIRFB9N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFB9N65APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220ABIRFBA31N50LIRIRFB7N60C3PBFIR
IRFB7740PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 87A TO220ABIRFBA1405PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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