IRF730BPBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRF730BPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF730BPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 104W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 311 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF730 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF730BPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF730BPBF | IRF730PBF | IRF730APBF | IRF730A |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IRF730 | IRF730 | IRF730 | IRF730 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 311 pF @ 100 V | 700 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 電力消費（最大） | 104W (Tc) | 74W (Tc) | 74W (Tc) | 74W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
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IRF7311TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICIRF730PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF730APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF730AVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRF7309PBFInternational RectifierP-CHANNEL POWER MOSFETIRF730ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAKIRF730B MOSIRF730ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKIRF7309TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOICIRF730SVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKIRF730STRPBFIRIRF7309TRIRF
IRF730S MOSFairchild (onsemi)IRF731Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF7309QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOICIRF730STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKIRF730BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF730PBF MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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