IRF520の技術仕様
Vishay Siliconix - IRF520技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRF520仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF520 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRF520と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF520 | IRF520N | IRF520 | IRF520 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 基本製品番号 | IRF520 | - | IRF5 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 5.5A, 10V | 200mOhm @ 5.7A, 10V | 270mOhm @ 7A, 10V | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220 | TO-220AB |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 48W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Tc) | 9.7A (Tc) | 10A (Tc) | 9.2A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| シリーズ | - | HEXFET® | STripFET™ II | - |
IRF520 - Vishay SiliconixのIRF520 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRF520NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABIRF520STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 10A TO220ABIRF513VBsemiIRF520Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF511IRIRF520NS MOSIRIRF511SIRIRF513PBFVBsemi
IRF510STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF520onsemiMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
IRF520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKIRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABIRF510SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKIRF510STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO263IRF520MotorolaMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF520NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO262IRF520ASEC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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