IRC830PBFの技術仕様
Vishay Siliconix - IRC830PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRC830PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-5 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-5 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Current Sensing | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRC830 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRC830PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRC830PBF | IRC630PBF | IRC840PBF | IRC730PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) | 74W (Tc) | 125W (Tc) | 74W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 200 V | 500 V | 400 V |
| 基本製品番号 | IRC830 | IRC630 | IRC840 | IRC730 |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V |
| FET特長 | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 400mOhm @ 5.4A, 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
IRC830PBF - Vishay SiliconixのIRC830PBF PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
IRCFL1IRIRC630PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A TO220-5IRC7139IRIRC840PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A TO220-5IRCFL1SPBFIRIRC640IRIRC730PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5IRCH33IRIRCFL1PBFIRIRC634PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5IRCFL1STRPBFIRIRC740IRIRC634IRIRCFL1SIRIRC840IRIRC640-007PBFIRIRC644IRIRC830IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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