BYG10JHE3/TRの技術仕様
Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay Semiconductor - Opto Division | |
電圧 - ピーク逆(最大) | Avalanche | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5A | |
電圧 - ブレークダウン | DO-214AC (SMA) | |
シリーズ | - | |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | |
逆回復時間(trrの) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
もし、F @抵抗 | - | |
偏光 | DO-214AC, SMA | |
動作温度 - ジャンクション | 4µs |
製品属性 | 属性値 | |
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装着タイプ | Surface Mount | |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | |
製造元の部品番号 | BYG10JHE3/TR | |
拡張された説明 | Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | |
ダイオード構成 | 1µA @ 600V | |
説明 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.15V @ 1.5A | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 600V | |
Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 150°C |
右側の三つのパーツはVishay Semiconductor Diodes Division BYG10JHE3/TRと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | BYG10JHE3/TR | BYG10K-M3/TR | BYG10J-M3/TR | BYG10GHE3/TR3 |
メーカー | Vishay Semiconductor Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay Semiconductor Diodes Division |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 600V | - | - | 400V |
電圧 - ブレークダウン | DO-214AC (SMA) | - | - | DO-214AC (SMA) |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.5A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5A |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.15V @ 1.5A | 1 µA @ 800 V | 1 µA @ 600 V | 1.15V @ 1.5A |
もし、F @抵抗 | - | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - |
説明 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | - | - | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
拡張された説明 | Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | - | - | Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
動作温度 - ジャンクション | 4µs | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 4µs |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
製造元の部品番号 | BYG10JHE3/TR | - | - | BYG10GHE3/TR3 |
偏光 | DO-214AC, SMA | - | - | DO-214AC, SMA |
電圧 - ピーク逆(最大) | Avalanche | - | - | Avalanche |
ダイオード構成 | 1µA @ 600V | - | - | 1µA @ 400V |
逆回復時間(trrの) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 4 µs | 4 µs | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 150°C | - | - | -55°C ~ 150°C |
メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | - | - | 14 Weeks |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | 1 (Unlimited) |
BYG10JHE3/TR - Vishay Semiconductor Diodes DivisionのBYG10JHE3/TR PDFデータテーブルとVishay Semiconductor Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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