VS-8CWH02FNTR-M3の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8CWH02FNTR-M3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8CWH02FNTR-M3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 950 mV @ 4 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | FRED Pt® | |
逆回復時間(trrの) | 27 ns |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 4 µA @ 200 V | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 4A | |
基本製品番号 | 8CWH02 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CWH02FNTR-M3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | VS-8CWH02FNTR-M3 | VS-8CWH02FNHM3 | VS-85CNQ015APBF | VS-8E2TX06-M |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Electro-Films (EFI) / Vishay |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 125°C | - |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | 200 V | 15 V | - |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-61-8 | - |
サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-61-8 | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 950 mV @ 4 A | 950 mV @ 4 A | 450 mV @ 80 A | - |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount | - |
技術 | Standard | Standard | Schottky | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 4 µA @ 200 V | 4 µA @ 200 V | 20 mA @ 15 V | - |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 4A | 4A | 40A | - |
逆回復時間(trrの) | 27 ns | 27 ns | - | - |
シリーズ | FRED Pt® | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® | - | - |
基本製品番号 | 8CWH02 | 8CWH02 | 85CNQ015 | - |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
VS-8CWH02FNTR-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのVS-8CWH02FNTR-M3 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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