VS-60EPS12PBFの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-60EPS12PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-60EPS12PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.09 V @ 60 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC Modified | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | TO-247-2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 60A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 60EPS12 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPS12PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VS-60EPS12PBF | VS-60EPS08-M3 | VS-60EPU02-N3 | VS-60EPU04-N3 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| シリーズ | - | - | FRED Pt® | FRED Pt® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC Modified | TO-247AC Modified | TO-247AC Modified | TO-247AC Modified |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V | 800 V | 200 V | 400 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 60A | 60A | 60A | 60A |
| 基本製品番号 | 60EPS12 | 60EPS08 | 60EPU02 | 60EPU04 |
| パッケージ/ケース | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-2 | TO-247-2 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.09 V @ 60 A | 1.09 V @ 60 A | 1.08 V @ 60 A | 1.25 V @ 60 A |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 800 V | 50 µA @ 200 V | 50 µA @ 400 V |
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VS-60EPS08-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 60A TO247AC
VS-60CTQ150-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
VS-63CPQ100PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247VS-63CPQ100-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247VS-60EPU02-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 200V 60A TO247ACVS-60EPU04-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 400V 60A TO247ACVS-60EPS12-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1.2KV 60A TO247AC
VS-60EPU06PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayVS-60CPQ150PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247VS-60CPU04-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 400V 30A TO247ACVS-60CPU02-FVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 30A TO247ACVS-60CPU02Electro-Films (EFI) / VishayVS-65EPS12L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 65A TO247ADVS-60EPF10PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1KV 60A TO247ACVS-60EPU06P-S1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 60A TO247ACVS-60EPS08PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 60A TO247ACVS-60EPF10-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1KV 60A TO247ACVS-60EPU06PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 60A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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