VB40120C-E3/8Wの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VB40120C-E3/8W技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - VB40120C-E3/8W仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 880 mV @ 20 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 120 V | |
技術 | Schottky | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | TMBS® | |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 µA @ 120 V | |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 20A | |
基本製品番号 | VB40120 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division VB40120C-E3/8Wと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | VB40120C-E3/8W | VB40100C-E3/4W | VB40100C-E3/8W | RB095BM-30TL |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rohm Semiconductor |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 20A | 20A | 20A | 3A |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 880 mV @ 20 A | 730 mV @ 20 A | 730 mV @ 20 A | 425 mV @ 3 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 120 V | 100 V | 100 V | 30 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
基本製品番号 | VB40120 | VB40100 | VB40100 | RB095 |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
技術 | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | 150°C (Max) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500 µA @ 120 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 100 V | 200 µA @ 30 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | TO-252 |
シリーズ | TMBS® | TMBS® | TMBS® | - |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
VB40120C-E3/8W - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのVB40120C-E3/8W PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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