US1M-M3/5ATの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/5AT技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - US1M-M3/5AT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | US1M |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division US1M-M3/5ATと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | US1M-M3/5AT | US1M-13-F | US1M-M3/61T | US1MDFQ-13 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | 2-SMD, Flat Lead |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 基本製品番号 | US1M | US1M | US1 | US1M |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) | D-Flat |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 1A | 1A | 1A |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
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US1M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMAUS1M-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
US1M-R1-10001PANJIT
US1M-7-FDiodes IncorporatedUS1MDFQ-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT
US1M-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
US1M-E3/61Electro-Films (EFI) / Vishay
US1M/UF4007TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraUS1M-E3/61T/RS1MElectro-Films (EFI) / VishayUS1M-13-F-73Diodes IncorporatedUS1M-R1PANJITUS1MAUJIEJIEUS1M-E3-61TElectro-Films (EFI) / Vishay
US1M-FLITEON
US1M-HFComchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-E3Electro-Films (EFI) / VishayUS1M-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACUS1M-TP-HFMicro Commercial CoInterface| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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