UG4D-E3/73の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG4D-E3/73技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - UG4D-E3/73仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 950 mV @ 4 A | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-201AD | |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
シリーズ | - | |
逆回復時間(trrの) | 30 ns |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | DO-201AD, Axial | |
パッケージ | Cut Tape (CT) | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 200 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | |
Vrと、F @キャパシタンス | 20pF @ 4V, 1MHz | |
基本製品番号 | UG4 |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division UG4D-E3/73と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | UG4D-E3/73 | VS-30WQ04FNTRL-M3 | DA2JF8100L | BYV26EGP-E3/54 |
メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panasonic Electronic Components | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 200 V | 2 mA @ 40 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V |
基本製品番号 | UG4 | 30WQ04 | DA2JF81 | BYV26 |
シリーズ | - | - | - | SUPERECTIFIER® |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 950 mV @ 4 A | 530 mV @ 3 A | 2.5 V @ 200 mA | 2.5 V @ 1 A |
パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
技術 | Standard | Schottky | Standard | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-201AD | D-PAK (TO-252AA) | SMini2-F5-B | DO-204AC (DO-15) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
Vrと、F @キャパシタンス | 20pF @ 4V, 1MHz | 189pF @ 5V, 1MHz | 0.6pF @ 0V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz |
逆回復時間(trrの) | 30 ns | - | 45 ns | 75 ns |
パッケージ/ケース | DO-201AD, Axial | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SC-90, SOD-323F | DO-204AC, DO-15, Axial |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V | 40 V | 800 V | 1000 V |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
電流 - 平均整流(イオ) | 4A | 3.5A | 200mA | 1A |
UG4D-E3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのUG4D-E3/73 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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