UG18DCT-E3/45の技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG18DCT-E3/45技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - UG18DCT-E3/45仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 9 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 18A | |
| 基本製品番号 | UG18 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division UG18DCT-E3/45と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | UG18DCT-E3/45 | UG10GCT-E3/45 | UG18BCT-E3/45 | UG18CCT-E3/45 |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns | 50 ns | 30 ns | 30 ns |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 18A | 5A | 18A | 18A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 150 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 9 A | 1.3 V @ 5 A | 1.1 V @ 9 A | 1.1 V @ 9 A |
| 基本製品番号 | UG18 | UG10 | UG18 | UG18 |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V | 400 V | 100 V | 150 V |
UG18DCT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのUG18DCT-E3/45 PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
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UG1DA0Taiwan Semiconductor| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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