TZX8V2C-TAPの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - TZX8V2C-TAP技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - TZX8V2C-TAP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 8.2 V | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 200 mA | |
| 公差 | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TZX | |
| 電力 - 最大 | 500 mW |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 20 Ohms | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 6.2 V | |
| 基本製品番号 | TZX8V2 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division TZX8V2C-TAPと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TZX8V2C-TAP | TZX8V2B-TAP | TZX7V5D-TAP | TZX7V5C-TAP |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 基本製品番号 | TZX8V2 | TZX8V2 | TZX7V5 | TZX7V5 |
| 電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 6.2 V | 1 µA @ 6.2 V | 1 µA @ 5 V | 1 µA @ 5 V |
| インピーダンス（最大）（ZZT） | 20 Ohms | 20 Ohms | 15 Ohms | 15 Ohms |
| 公差 | - | - | - | - |
| 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは） | 8.2 V | 8.2 V | 7.5 V | 7.5 V |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TZX | Automotive, AEC-Q101, TZX | Automotive, AEC-Q101, TZX | Automotive, AEC-Q101, TZX |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
| 運転温度 | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
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TZX8V2B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW DO35TZX7V5D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 500MW DO35TZX7V5C-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 500MW DO35TZX9V1D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 9.1V 500MW DO35TZX7V5B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 500MW DO35TZX4V7B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35TZX6V2B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35TZX8V2D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW DO35TZX5V6B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
TZX7V5X-TAPVishayTZX7V5A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 500MW DO35TZX8V2A-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW DO35TZX4V7D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35TZX5V1B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.1V 500MW DO35TZX5V1C-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 5.1V 500MW DO35TZX8V2B-7PAElectro-Films (EFI) / VishayTZX6V2B-ATPElectro-Films (EFI) / VishayTZX6V2D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 6.2V 500MW DO35| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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