SE30AFJHM3/6Aの技術仕様
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SE30AFJHM3/6A技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay General Semiconductor - Diodes Division - SE30AFJHM3/6A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 3 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-221AC (SlimSMA) | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
| 逆回復時間（trrの） | 1.5 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-221AC, SMA Flat Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.4A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 19pF @ 4V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | SE30 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFJHM3/6Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SE30AFJHM3/6A | SE30PABHM3/I | SE30AFJ-M3/6A | SE30AFB-M3/6A |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 基本製品番号 | SE30 | SE30 | SE30 | SE30 |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1 V @ 3 A | 1.16 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Vrと、F @キャパシタンス | 19pF @ 4V, 1MHz | 13pF @ 4V, 1MHz | 19pF @ 4V, 1MHz | 19pF @ 4V, 1MHz |
| 逆回復時間（trrの） | 1.5 µs | 1.3 µs | 1.5 µs | 1.5 µs |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 100 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1.4A | 3A | 1.4A | 1.4A |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | eSMP® | eSMP® |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 600 V | 600 V | 100 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-221AC (SlimSMA) | DO-221BC (SMPA) | DO-221AC (SlimSMA) | DO-221AC (SlimSMA) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | DO-221AC, SMA Flat Leads | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad | DO-221AC, SMA Flat Leads | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
SE30AFJHM3/6A - Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionのSE30AFJHM3/6A PDFデータテーブルとVishay General Semiconductor - Diodes Divisionドキュメントをダウンロード
SE3455-002Honeywell Sensing and Productivity SolutionsEMITTER IR 935NM 100MA TO-46SE30PABHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC
SE3080KSE3415WILLAS
SE30AFGHM3Electro-Films (EFI) / VishaySE336/MV336DSE3400SINO-ICSE301ANECSE30P50Sino WealthSE30AFJ-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221ACSE30AFJ-6001HM3/6AElectro-Films (EFI) / VishaySE303A-SSE3200HIDSE3506SESE303A-CNECSE3401SINO-ICSE30AFB-M3/6AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221ACSE3018SINO-IC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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